Краткое описание изготовления фотоэлемента с  повышенными механическими характеристиками и нового функционального фотоэлемента

Хочу предложить на обозрение посетителей моей странички технологию для производства солнечных элементов которая я думаю, отличается от распространенной при массовом производстве, я сам работал на заводе По "Фотон" в г. Ташкенте-бывшая оборонка и  мне приходилось разрабатывать технологию фотоэлемента основное отличие от обычных:

1 это нанесение омических контактов методом химического осаждения никеля и последующего его вжигания в среде аргона - в результате получались контакты высокой прочности и адгезии которые можно лудить при  температуре250 град и выше , многократно не опасаясь на их разрушение мною были получены омические контакты толщиной 100 микрон и их лужение не сопровождалось отслоением (см фото). Такой способ изготовления контактов самый надежный и может использоваться в космосе и так же в неустойчивых средах и вибраций где солнечные элементы с  вакуумным напылением контактов просто отвалятся.

2для изготовления таких фотоэлементов требуется использовать 4 фотолитографии и две диффузии (одна диффузия под омический контакт а вторая как основной фотослой)

3 под каждый вид кремния требуются разные режимы диффузии

4 КПД-10 ПРОЦЕНТОВ ИЗ БРАКОВАННЫХ ПОДЛОЖЕК КДБ-0.5 Р-типа

5 выход годных по электрическим параметрам 95%, основной брак был при бое пластин

6.Есть еще резерв повысить кпд, улучшая режимы диффузии и просветляющих покрытий.

7.имеются рабочие готовые образцы

8.был получен нами еще неизвестный фотоэлемент рис 2 с транзисторной эпитаксиальной структурой с ВАХ которая имеет точку максимума, то есть при облучении элемента слабым освещением ток и напряжение растут, но при дальнейшем увеличении освещения ток и напряжение начинают падать до нуля, данная разработка так и осталась не задействованной так как это был 97 год и развал производства вынудил меня покинуть Ташкент и переехать в Самару, если это интересно моя личная почта igortz@rambler.ru

 

 

Sio2 –окисел                                   омический контакт Ni

 

           

рис-1

 

 

 

 

 

Рис-2